第一三八四章 光刻机的现状（上）

请关闭浏览器的阅读/畅读/小说模式并且关闭广告屏蔽过滤功能，避免出现内容无法显示或者段落错乱。

EUV LLc联盟的研发费用出资比例中，牵头的美国能源部出30%，Intel和GcA各出20%，motorola、Ibm、It、Adm和hp各出4%，micron和cymer等其他33家科技企业和研究机构共出10%，今后享受的权利同出资比例相同。

GcA需要出资的20%中，以前的EUV研究成果折算15%。

GcA这些年为了研发EUV投资了1.5亿美元，取得了不少有关EUV的研究成果，但离成功还有很远的距离，以GcA一家之力很难完成，汤普森院长不得不放弃，出面邀请美国能源部和Intel等光刻机和半导体产业的同行，美国能源部牵头成立了EUV LLc。

美国能源部的三家国家实验室、Intel和cymer等公司这些年也在研发EUV，但远远落后在GcA的后面，汤普森院士众望所归，成了EUV LLc联盟的cto。

作为GcA的法人兼董事长，孙健乐见其成。

光刻机公司迟迟不能攻克193nm波长的世界级难题，65nm制程工艺光刻机迟迟见不到身影，GcA和Nikon着急，但最着急的是财大气粗的Intel和Amd，没有下一代光刻机，Intel和Amd研发的下一代cpU只能成为研发成果，不能变成产品，不能上市，消费者将失去购买欲望，公司的销售和利润锐减，投资者用脚投票，股价下跌，市值减少，研发费用减少，研发受阻，会发生一系列连锁反应。

前世，由于迟迟不能攻克193nm波长的世界级难题，光刻机制程工艺一直停留在90nm，摩尔定律失效！直到2007年左右，ASmL生产的世界第一台193nm波长的浸没式光刻机问世，一举突破了90nm制程工艺，65nm、45nm、32nm、28nm、20nm、14nm、10nm……制程工艺越来越细，制造难度越来越大。

重生前，EUV光刻机已经诞生，台积电已经宣布能生产7nm制程工艺的芯片，全球光刻机公司就剩下ASmL、Nikon、canon和沪海微电子（SmEE）等四家。

-----

“各位董事都知道，业界对下一代光刻机的发展提出了两条技术路线，据我所知，157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战，不是短时间能克服的；即使EUV LLc联盟在5年内研发成功EUV，但EUV光刻机量产还有很长的路要走，业界悲观预测，5年内看不到65nm制程工艺光刻机问世，芯片的升级换代将会陷入停滞，受到美国经济下滑和65nm制程工艺技术研发受阻的双重影响，半导体产业的快速发展也不可能继续延续。”

孙健一脸严肃，不是信口雌黄，也不是指点江山，准确预测光刻机产业和半导体产业未来的发展趋势，避免GcA陷入被动，继续树立GcA一把手的权威形象。

打算关门的GcA能成为全球第一大光刻机公司，孙董事长的贡献第一，这是现场众董事的心声。

光刻机产业和半导体产业一荣俱荣，一损俱损。

要论对光刻机产业的现状和未来发展趋势的认识，作为全球第一大光刻机公司GcA和第五大光刻机公司bSEc的控股股东，还是全球第三大光刻机公司ASmL的第二大股东，孙健拿到的第一手资料不是一般光刻机专家能比拟的，结合二世的知识积累，他称第二，没人敢称第一。